所属学院: 机电工程学院

导师类别：博士生导师

科研方向：微电子封装技术与材料

硕士招生学院：机电工程学院

电子邮箱：cqcui01@qq.com

个人简述

崔成强，广东工业大学"百人计划"特聘教授，博士生导师；1991年英国埃塞克斯（ESSEX）大学获得化学博士学位，1983年和1985年在天津大学化工系分别获得学士和硕士学位。主持国家02 专项，863专项以及地方科技项目多项，从事高密度芯片和模组封装基板，以及封装材料的研究和开发。拥有20多年的微电子开发、集成电路封装、高密度封装基板开发和生产经历，是国际上于2003年最早提出并采用改进型半加成技术及超微全铜盲孔填充技术制作高密度封装基板的研究者之一，并利用该技术实现了最小线宽/线距达10μm/10μm、最小填充盲埋孔径达10 μm的封装基板的产业化。同时为香港科技大学（HKUST）客座教授、华进半导体封装先导技术研发中心高级顾问，是中国电子封装协会理事和电子封装技术国际会议（ICEPT）技术委员会委员。曾任安捷利实业有限公司和香港金柏科技有限公司首席技术官、中国兵器工业集团公司首席专家、北方工业集团公司科技带头人。截至2018年，已累计获得国内外授权发明专利43项，授权实用新型专利8项，申请专利87项。已在国内国际著名杂志期刊上发表论文110余篇。

学科领域

微电子封装技术与材料

高密度封装基板制造技术与材料

第三代半导体封装材料

教育背景

1989/1-1991/3，英国埃塞克斯大学（University of Essex），电化学，博士

1983/9-1985/12，天津大学，电化学，硕士

1979/9-1983/7，天津大学，电化学工程，学士

主要荣誉

2017，中国专利奖优秀奖

2017，江苏省科学技术进步二等奖

2016，苏州市科技进步一等奖

2015.10，江苏省“双创人才”

2014.12，苏州市“姑苏领军人才”

2013.06，广州市“创新创业领军人才”

2013，第三批广州科技创新“百人计划”

1992，李光耀顶尖研究奖，新加坡

1990，海外研究奖学金（ORS），英国

1988，中英友好研究奖学金，中国，英国

在研项目

1. 国家科技重大专项（02专项）课题，2014ZX02503-002，超薄高密度柔性封装基板核心工艺研究与开发，2014/01/01-2017/12/31，8225.15万，在研

2. 广东省科技发展专项（国际合作），2017A050501053，突破半导体互连技术的瓶颈--纳米铜粉的制备和应用，2017/01/01--2018/12/31，100万，在研

3. 国家高技术研究发展计划（863计划）课题，2015AA033301，基于高性能基板的第三代半导体封装技术研究，2015/01/01-2017/12/31，111万，在研

4. 广东省重大科技专项，2016B090905001，高密度超薄柔性封装基板研发与产业化， 2016/01/01-2018/12/31，500万，在研

5. 江苏省科技厅重大科技成果转化专项，卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化，2015/01/01-2018/12/31，800万，在研

学术兼职

1. 第三代半导体南方基地执行委员会，委员

2. ICEPT国际芯片封装会议基板类技术委员会，委员

3. SEMI中国柔性电子技术委员会，委员

4. 中国半导体学会封装分会，理事

5. 香港印制线路板协会，执行委员

6. 香港科技大学霍英东研究院，客座教授

7. 华进半导体先导技术研发中心有限公司高级顾问

8. 中科院半导体所常州半导体照明国家重点实验室，客座研究员

9. 香港应用科学院，顾问

科研成果

主要成果：

1. 卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化（02专项）

2. 基于高性能基板的第三代半导体封装技术研究（863计划）

3. 高密度超薄直接倒置芯片

4. 新一代高分辨率防抖摄像模块

5. 嵌入式无源元器件MEMS功能模块

6. 第三代半导体大功率LED封装基板

SCI论文：

1. S.He, K.Chen, M.Saunders, J.Li, C.Q.Cui. A FIB-STEM Study of La0.8Sr0.2MnO3 Cathode and Y2O3-ZrO2/ Gd2O3-CeO2 Electrolyte Interfaces of Solid Oxide Fuel Cells[J]. Journal of The Eletrochemical Society, 2017, 164(13): F1471-F1477.

2. Wang F, Cui C.Q, Zhang S, et al. Influences of copper roughness on the electrical and mechanical performances of embedded capacitance materials[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 2016, 30(12):1364-1369.

3. F.W. Wang, C.Q. Cui, S.T. Zhang, J. Wang. Influences of copper roughness on the electrical and mechanical performances of embedded capacitance materials[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 2016, 30(12):1364-1369.

4. C. Chen, Q. Wang, X.T. Meng, L. Tan, J.Wang, C.Q. Cui, J. Cai. Thermal Resistance Simulation for CoF Packages[J]. Tsinghua Science and Technology, 2015, 20(3):277-284.

5. F.W.Wang , C.Q. Cui , J.Wang. Embedded thin film resistors fabricated by alkaline electroless deposition[J]. Journal of Materials Science Materials in Electronics, 2015, 26(12):9766-9775.

6. 胡张琪,王健,郭函,陈瑜,崔成强. LCD驱动芯片CoF封装技术的现状及发展[J]. 电子与封装, 2015(6):1-8.

7. J. Wang , M. Wu , C.Q. Cui. Factors governing filling of blind via and through hole in electroplating[J]. Circuit World, 2014, 40(3):92-102.

8. Zhang X, Cui C Q, Chan K C, et al. Analysis of solder joint reliability in flip chip packages[J]. International Journal of Microcircuits & Electronic Packaging, 2005, 25(1):147-159.

9. Zhang Y, Tan K L, Zhang J, C.Q. Cui, et al. Thermal graft copolymerization-induced adhesion improvement of a FR-4 ®/PETG ® laminate[J]. International Journal of Adhesion & Adhesives, 2000, 20(2):165-171.

10. Shaoyu Wu, E. T. Kang, K. G. Neoh, C.Q. Cui. Surface modification of poly(tetrafluoroethylene) films by graft copolymerization for adhesion enhancement with electrolessly deposited copper[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 2000, 14(11):1451-1468.

11. Junfeng Zhang, Cheng Qiang Cui, Thiam Beng Lim, et al. Modification of poly(tetrafluoroethylene) and gold surfaces by thermal graft copolymerization for adhesion improvement[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 2000, 14(4):507-527.

12. Wu J Z, Kang E T, Neoh K G, C.Q. Cui, Lim T B. Modification of poly(tetrafluoroethylene) and copper foil surfaces by graft polymerization for adhesion improvement[J]. International Journal of Adhesion & Adhesives, 2000, 20(6):467-476.

13. Ang A K S, Kang E T, Neoh K G, Tan K L, C.Q. Cui. Low-temperature graft copolymerization of 1-vinyl imidazole on polyimide films with simultaneous lamination to copper foils—effect of crosslinking agents[J]. Polymer, 2000, 41(2):489-498.

14. Z. J. Yu, E. T. Kang, K. G. Neoh, C.Q. Cui. Grafting of Epoxy Resin on Surface-modified Poly(tetrafluoroethylene) Films[J]. Journal of Adhesion, 2000, 73(4):417-439.

15. Zhang J, C Q Cui, Lim T B, et al. Functionalization of self‐assembled monolayers on gold by UV‐induced graft polymerization[J]. Macromolecular Chemistry & Physics, 2015, 201(14):1653-1661.

16. Wu.S, Kang.E.T, Neoh.K.G, C.Q. Cui. Adhesion and adhesion reliability enhancement of evaporated copper on surface modified poly(tetrafluoroethylene) films from graft copolymerization[J]. Plasmas & Polymers, 2000, 23(3):538-545.

17. JinZhu Wu, E.T.Kang,K.G. Neoh, C.Q.Cui,T.B.Lim. Surface Modification of Poly(Tetrafluoroethylene) Films by Graft Copolymerization for Adhesion Improvement with Sputtered In-Sn Oxides[J]. Polymer, 1999, 40(25):6955-6964.

18. E.T. Kang, Y.X. Liu, K.G. Neoh, K.L.Tan, C.Q.Cui. Surface graft copolymerization of poly(tetrafluoroethylene) film with simultaneous lamination to copper foil[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 1999, 13(3):293-307.

19. Zhang J, C Q Cui, Lim T B, et al. Surface Graft Copolymerization Enhanced Lamination of Poly(tetrafluoroethylene) Film to Copper and Epoxy-Based Print Circuit Board (PCB)[J]. Journal of Electronic Packaging, 1999, 121(4):60-67.

20. Liu Y X, Kang E T, Neoh K G, J.F.Zhang, C.Q.Cui. Surface graft copolymerization enhanced adhesion of an epoxy-based printed circuit board substrate (FR-4) to copper[J]. Advanced Packaging IEEE Transactions on, 1999, 22(2):214 - 220.

21. J Zhang, C.Q.Cui, T B Lim, et al. Chemical Modification of Silicon (100) Surface via UV-Induced Graft Polymerization[J]. Chemistry of Materials, 1999, 11(4):1061-1068.

22. J Zhang, C.Q.Cui, T B Lim,et al. Adhesion improvement of polytetrafluoroethylene/metal interface by graft copolymerization[J]. Surface & Interface Analysis, 2015, 28(1):235-239.

23. Ang A K S, Kang E T, Neoh K G, K.L.Tan, C.Q.Cui. Low-temperature graft copolymerization of 1-vinyl imidazole on polyimide films with simultaneous lamination to copper foils—effect of crosslinking agents[J]. Polymer, 2000, 41(2):489-498.

24. J Zhang, C.Q.Cui, T B Lim, et al. Adhesion improvement of a poly(tetrafluoroethylene)- copper laminate by thermal graft copolymerization[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 1998, 12(11):1205-1218.

25. Wang T, E.T. Kang, K.G. Neoh, K.L.Tan, C.Q.Cui. Surface structures and adhesion enhancement of poly(tetrafluoroethylene) films after modification by graft copolymerization with glycidyl methacrylate[J]. Journal of Adhesion Science & Technology, 1997, 11(5):679-693.

26. Wang T, Rang E T, Neoh K G, K.L.Tan, C.Q.Cui. Modification of substrate surface for BGA overmold adhesion enhancement by graft copolymerization[J]. Materials Research Bulletin, 1996, 31(11):1361–1373.

27. Zhang A Q, Cui C Q, Lee J Y. Metalpolymer interactions in the Ag+ poly-o-aminophenol system[J]. Journal of Electroanalytical Chemistry, 1996, 413(1-2):143-151.

28. Lee J Y, Cui C Q. Electrochemical copolymerization of aniline and metanilic acid[J]. Journal of Electroanalytical Chemistry, 1996, 403(1–2):109-116.

29. Cui C Q, Lee J Y. Nickel deposition from unbuffered neutral chloride solutions in the presence of oxygen[J]. Electrochimica Acta, 1995, 40(11):1653-1662.

30. Zhang A Q, Cui C Q, Lee J Y. Electrochemical degradation of polyaniline in HClO4 and H2SO4[J]. Synthetic Metals, 1995, 72(3):217–223.

31. Cui C Q, Lee J Y, Tan T C. Reactive deposition of ultrafine cobalt powders[J]. Journal of Materials Science, 1994, 29(24):6495-6500.

32. Jiang S P, Cui C Q, Tseung A C C. Preparation and performance of reactively deposited active battery plates[J]. Journal of Materials Science, 1992, 27(8):2223-2230.

33. 崔成强, 张瀛洲, 时康,等. IrO2-SnO2上氧析出机理[J]. 无机化学学报, 1991(2):165-168.

EI论文：

1. Z.Q. Hu, Q. Wang , H. Guo, Y. Chen ,C.Q. Cui. Ultra-thin chip on flex by Solder-on-Pad (SoP) technology[C]// International Conference on Electronic Packaging Technology. IEEE, 2015:645-650.

2. 王靖, 崔成强. 镀铜添加剂对准梯形盲孔全铜填充的影响[C]// 全国青年印制电路学术年会. 2014.

3. Pun K, Cui C Q. Enhancement of TBGA substrate in packing drop test[C]// International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging, 2009. Icept-Hdp. IEEE, 2009:1097-1103.

4. Pun K, Cui C Q, Chung T F. Ultra-fine via pitch on flexible substrate for high density interconnect (HDI)[C]// International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging, 2008. Icept-Hdp. IEEE, 2008:1-6.

5. Pun K, Eu P L, Islam M N, C.Q. Cui, et al. Effect of Ni Layer Thickness on Intermetallic Formation and Mechanical Strength of Sn-Ag-Cu Solder Joint[C]// Electronics Packaging Technology Conference, 2008. Eptc 2008. IEEE, 2009:487-493.

6. Cui C Q, Pun K. Cu Fully Filled Ultra-Fine Blind Via on Flexible Substrate for High Density Interconnect[C]// International Conference on Electronics Manufacturing and Technology. IEEE, 2008:13-19.

7. Cui C Q, Pun K. TBGA substrate for lead-free and halogen-free applications[C]// Asian Green Electronics, 2004. AGEC. Proceedings of 2004 International IEEE Conference on the. IEEE, 2004:45-49.

8. Tay H L, Cui C Q. Underfill material requirements for reliable flip chip assemblies[C]// Electronics Packaging Technology Conference, 1998. Proceedings of. IEEE, 1998:345-348.

9. Cui C Q, Chan B, So A C K, et al. Development of two-metal layer flexible substrate for high density IC packaging[C]// International Symposium on Electronic Materials and Packaging. IEEE, 2000:326-329.

10. Cui C Q, Tay H L, Chai T C. Adhesion enhancement of Pd plated leadframes[C]// Electronic Components and Technology Conference, 1999. 1999 Proceedings. IEEE, 1999:837-841.

11. Cui C Q, Tay H L, Chai T C, et al. Surface treatment of copper for the adhesion improvement to epoxy mold compounds[C]// Electronic Components & Technology Conference. IEEE, 2002:1162-1166.

12. Tay A A O, Huang Z M, Wu J H, Cui C Q. Numerical simulation of the flip-chip underfilling process[C]// Electronic Packaging Technology Conference, 1997. Proceedings of the 1997. IEEE, 1997:263-269.

13. Teo Y C, Lim T B, Ho H M, Cui C Q. Low cost chip-scale package[C]// Electronic Components and Technology Conference, 1997. Proceedings. . IEEE, 1997:358-362.

14. Cui C Q, Lim T B. Enhancing adhesion between mold compound and substrate in BGA packaging[C]// Electronic Components and Technology Conference, 1997. Proceedings. . IEEE, 2002:544-549.

15. Natarajan M, Cui C Q, Poener D P, et al. Applications of atomic force microscopy for semiconductor device and package characterization[C]// International Symposium on Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits. IEEE, 1997:275-279.

发表专著：

1. Fan X J, Tee T Y, Cui C Q, et al. Underfill Selection Against Moisture in Flip Chip BGA Packages[M]// Moisture Sensitivity of Plastic Packages of IC Devices. Springer US, 2010:435-460.

2. Mittal K L, Cui C Q, et al. Silanes and Other Coupling Agents, Volume 2[M]// Silanes and other coupling agents. CRC Press, 2000.

中国授权专利：

1. 崔成强，王健，陈勇，一种层间互联的工艺，中国，ZL201410775664.5，授权

2. 崔成强，新型埋入元器件的封装结构及电路板，中国ZL201420484667.9

3. 袁长安，韦嘉，梁润园，黄洁莹，崔成强，张国旗，一种LED封装组件，中国，ZL201420270175.X

4. 崔成强，王健，一种封装芯片，中国，ZL201420167806.5

5. 崔成强，一种低成本钻孔电路板的制作方法，中国，ZL201410424190.X

6. 崔成强，一种开槽多层电路板的制作方法及一种开槽多层电路板，中国，ZL201410424499.9

7. 崔成强，一种低成本钻孔电路板的制作方法，中国，ZL201410424190.X

8. 崔成强，一种开槽多层电路板的制作方法及一种开槽多层电路板，中国，ZL201410424499.9

9. 崔成强，一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法，中国，ZL201410424188.2

10. 崔成强，一种新型的封装基板及其制作方法，中国，ZL201410425401.1

11. 袁长安，韦嘉，梁润园，黄洁莹，崔成强，张国旗，一种LED封装组件，中国，ZL201410223672.9

12. 袁长安，方涛，韦嘉，崔成强，张国旗，用于柔性基板的桥接模块和基板组件，中国，ZL201410212332.6

13. 崔成强，王健，一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，中国ZL201410138222.X

14. 崔成强，王健，一种芯片的封装方法，中国，ZL201410138323.7

15. 王靖，崔成强，一种高导热塞孔材料及其制备方法，中国，ZL201410138278.5

16. 韦嘉，刘洋，袁长安，崔成强，张国旗，一种LED封装杯体的加工方法及相应模具，中国，ZL201310648590.4

17. 袁长安，牛琳，韦嘉，崔成强，张国旗，一种LED软板光源模组及其制造方法，中国，ZL201310378883.5

18. 李博，范供齐，袁长安，张国旗，崔成强，用于将LED软板光源安装到物件上的安装设备及其使用方法，中国，ZL201310373426.7

19. 刘磊，牛琳，韦嘉，袁长安，崔成强，张国旗，LED软灯条的载体装置以及光通量测试系统与方法，中国，ZL201310291346.7

20. 崔成强，韦嘉，袁长安，张国旗，制造发光二极管芯片的方法，中国，ZL201310286849.5

21. 崔成强，袁长安，张国旗，LED封装结构及其制作方法，中国，ZL201310201587.8

22. 崔成强，梁润园，韦嘉，袁长安，LED封装结构及其制作方法，中国，ZL201310001095.4

23. 廖海沅，崔成强，一种高精度的脉冲加热回流焊接设备，中国，ZL201320387427.2

24. 韦嘉，李博，范供齐，袁长安，张国旗，崔成强，一种LED立体光源（八角），中国，ZL201320335790.X

25. 崔成强，梁润园，韦嘉，袁长安，张国旗，LED模组封装结构，中国，ZL201320000967

26. 崔成强，梁润园，韦嘉，袁长安，张国旗，LED芯片，中国ZL201220746029

27. 崔成强，一种叠加电路板，中国，ZL 2012 2 0405079.2

28. 崔成强，一种耐外力作用的高可靠性的带凸包互连电路板，中国， ZL2012 2 0145402.7

29. 崔成强，梁润园，韦嘉，袁长安，LED芯片及制造方法，中国，ZL201210587583.3

30. 崔成强，黄洁莹，梁润园，袁长安，张国旗，一种LED封装体的制作方法，中国，ZL201210497327.5

31. 崔成强，一种柔性电路板的盲孔制作工艺，中国，ZL201210290774.3

32. 崔成强，柔性无胶铜电路板基材及其制作工艺，中国，ZL201210290819.7

33. 崔成强，一种高密度线路板的制造工艺，中国，ZL201210290786.6

外国授权专利：

1. Yang Lee Jim, CUI CHENG QIANG, 一种在绝缘层表面选择性金属化的技术，新加坡, SG19950000658

2. CUI CHENG QIANG, WU JIAN HUA, LIM THIAM BENG, 一种具有填料的抗撕裂的封装基板，新加坡, SG19960009049

3. Jim Y.Lee, C.Q.Cui and A.Q.Zhang, 一种在受损界面上，选择性金属化的工艺，英国, 9804454.1

4. E.T.Kang, A.K.S.Ang,K.G.Neoh,C.Q.Cui,T.B.Lim, 一种用于低温层压聚酰亚胺的工艺, US 6537411B1

5. C.Q.Cui,一种用于液体封装的环氧基树脂基化合物,US 6274650B1

6. J.F,Zhang, C.Q.Cui, T.B.Lim,E.T.Kang,一种在含氟薄膜上低温压合铜箔的方法,US 6540866B1

7. Poh-Leng Eu, LC Tan, C.Q.Cui,一种封装基板中焊球环的制作技术与应用, US 2009/0134207A1

8. Poh-Leng Eu, LC Tan, C.Q.Cui,一种低成本的TBGA生产方法, US 2011/0059579A1

9. C.Q.Cui, Kai C. Ng and Chee W. Cheung, 一种有接地补强的集成电路芯片封装方法, US 7573131B2

10. C.Q.Cui and Chee Wah Cheung, 一种高散热性能的多层挠性集成电路芯片封装方法, US 7906844B2

实审专利：

1. 崔成强，张昱，赖涛，杨斌，一种低温用纳米铜焊接材料的制备方法，中国，ZL 201710979548.9

2. 崔成强，张昱，赖涛，杨斌，一种高密度嵌入式线路的制作方法，中国，ZL 201710977049.6

3. 崔成强，赖韬，杨斌，张昱，一种微型芯片的转移方法，中国，ZL 201710874383.9

4. 崔成强，杨斌，赖韬，张昱，一种激光打孔方法，中国，ZL 201710811629.8

5. 崔成强，杨斌，赖韬，张昱，一种具备高散热扇出型封装结构的芯片及其制作方法，中国，ZL201710742254.4

6. 崔成强，杨斌，赖韬，张昱，一种具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片及其制作方法，中国，ZL 201710742257.8

7. 崔成强，赖韬，杨斌，张昱，铜-陶瓷基板的制备方法，中国，ZL 201710840957.0

8. 崔成强，赖韬，杨斌，张昱， Cu，SiO2复合材料，其制备方法与铜-陶瓷基板的制备方法，中国，ZL 201710842165.7

9. 崔成强，赖韬，杨斌，张昱，一种多芯片同步倒装机构及其封装工艺，中国，ZL 201710641236.7

10. 张昱，崔成强，张凯，陈云，高健，贺云波，陈新，一种互连材料及其制备方法 ，中国，ZL 201710469870.7

11. 张昱，崔成强，张凯，高健，陈云，贺云波，陈新，一种互连工艺，中国，ZL 201710471203.2

12. 崔成强，张昱，一种纳米铜浆及其制备方法，中国，ZL 201710469884.9

13. 崔成强，张昱，张凯，高健，陈云，贺云波，陈新，一种银合金键合丝的制备方法，中国，ZL 201710413850.8

14. 何思丰，汤晖，邱迁，车俊杰，陈创斌 ，张凯富，向晓彬，高健，陈新，崔成强，贺云波，一种晶圆级芯片倒装定位平台，中国，ZL 201710065563.2

15. 赖韬，张昱，杨斌，崔成强，一种纳米颗粒的分离方法，中国，ZL 201611265198.1

16. 杨斌，张昱，赖韬，崔成强，一种保护剂组合物和抗腐蚀键合丝及其制备方法，中国，ZL 201611250204.6

17. 张仕通，崔成强，王锋伟，一种PCB埋入式线路的制造方法，中国，ZL 201610554540.3

18. 张仕通，朱府杰，王锋伟，崔成强，一种高铜厚型印制电路板的制备方法，中国，ZL 201610382648.9

19. 孙彬，宋桁，崔成强，张仕通，一种MEMS产品的印制电路板，中国，ZL 201610160602.2

20. 孙彬，崔成强，张仕通，一种印制电路板，中国，ZL 201610135729.9

21. 张仕通，王锋伟，崔成强，一种高导热绝缘复合材料的制备方法，中国，ZL 201510873371.5

22. 王锋伟，张仕通，崔成强，王靖，一种埋容电路板的制备方法，中国，ZL 201510823192.0

23. 王锋伟，崔成强，张仕通，王靖，一种小型涂布装置，中国， ZL 201510712361.3

24. 张仕通，王锋伟，崔成强，一种高介电常数的埋入式电容的制备方法，中国，ZL 201510622013.7

25. 张仕通，王锋伟，崔成强，一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，中国，ZL 201510622108.9

26. 王锋伟，崔成强，王靖，张仕通，一种电阻铜箔的制造方法，中国，ZL 201510573680.0

27. 王锋伟，崔成强，张仕通，王靖，一种埋入式电容的制备方法，中国，ZL 201510574510.4